Corso dei Dispositivi Elettronici - Laurea Specialistica in Elettronica

AVVISO PER GLI STUDENTI

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Materiale Didattico

Parte 1: introduzione

Parte 2: Elementi di Fisica dei Semiconduttori

Parte 3: Trasporto nei Semiconduttori

Parte 4: La Giunzione PN

Parte 5: Giunzione Metallo\Semiconduttore 

Parte 6: Il MOSFET 

parte6a - FET noise.pdf

Parte 7: il BJT

Parte 8: strutture a semiconduttore, eterogiunzioni

Parte 9: Basics of RF devices 

Parte 10: L High Electron Mobility Transistor (HEMT)

Parte10a: HEMT appendix

Parte 11: l' Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)

Parte12: Fisica-tecnologia-Applicazioni dei dispositivi ad effetto tunnel

Parte13: Elementi di nanoelettronica per dispositivi elettronici

Parte14: Elementi di elettronica organica

Parte15: Elementi di dispositivi fotovoltaici

Seminario del Prof. F. Giannini, 'Amplificatori di Potenza a Microonde'

Programma del Corso

1. Semiconduttori
   1. Elementi di teoria dei semiconduttori
   2. Trasporto nei semiconduttori
   3. Elettrostatica delle Giunzioni Semiconduttore-Semiconduttore e Metallo-Semiconduttore
2. Teoria della giunzione P-N e della giunzione Me-S
   1. Proprietà elettroniche delle eterostrutture a semiconduttore, Semiconduttori composti
   2. Eterostruttore adattate e pseudomorfiche
   3. Livelli energetici nelle Quantum Well
   4. Confinamento in Triangular Quantum Well
3. Il transistore Bipolare – BJT
   1. richiami sul principio di funzionamento
   2. calcolo della corrente di trasporto
   3. caratteristice statiche e dinamiche
4. Il transistore MOS
   1. struttura a bande e principio di funzionamento
   2. inversione del canale e calcolo della tensione di soglia
   3. circuito equivalente
   4. non idealità nel MOS
   5. limiti tecnologici
5. Il MEtal-Semiconductor-FET: MESFET
   1. Principio di funzionamento
   2. Circuito equivalente ad alta frequenza
   3. Componenti parassite
   4. Rumore nel MESFET
6. Transistor ad Elevata Mobilità (HEMT)
   1. Principio di funzionamento: analisi fisica
   2. transistori AlGaAs\GaAs, AlGaAs\InGaAs\GaAs, InAlAs\InGaAs\InP
   3. Circuito equivalente
   4. Efficienza di modulazione
   5. Criteri di progetto per un HEMT
   6. Modelli numerici del trasporto elettronico ed il controllo di un 2DEG
7. Transistor Bipolari ad Eterogiunzione (HBT)
   1. Principio di funzionamento e caratteristiche
   2. strutture Si\SiGe, AlGaAs\GaAs
   3. Modello di Ebers-Moll e Gummel-Poon
8. Cenni di nanoelettronica
9. Tunneling risonante in super-reticoli, inter- e intra-banda
10. Confinamento elettronico in strutture 1D e 0D; FET a singolo elettrone
11. Cenni di Elettronica molecolare